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              新聞詳情

              RTP快速退火爐的技術指標

              日期:2022-06-24 11:49
              瀏覽次數:91
              摘要:
               
                    RTP快速退火爐可用于砷化鎵、硅以及其他半導體材料,離子注入后的退火、硅化物的形成、歐姆接觸制備以及快速氧化、快速氮化等方面。RTP快速退火爐,快速熱處理設備(RTP)具有快速升降溫、慢速升降溫、和長工作時間穩定等特點。也可用于各種半導體材料的CVD工藝的熱處理。
                    RTP快速退火爐主要技術指標
                l、外形尺寸:550×650×650mm(長×寬×高)
                2、爐內體尺寸:327×249×123mm(長×寬×高)
                  3、工作室采用進口GE石英,外徑尺寸:290×230×24mm(長×寬×高);表面進行磨砂處理
                4、不銹鋼反應室上下反射面聚焦設計,內表面采用鍍金處理,減小熱損失,極大提高了反射效率
                5、水冷卻,確保燈箱散熱與快速降溫
                6、風扇冷卻保證加熱燈的冷卻
                7、大溫度范圍150℃—1000℃,K型熱電偶
                8、升溫速率:0.01—100℃/s可預設定
                9、氣體:兩路美國進口浮子流量計控制,流量:0—5L/min
                10、采用歐陸2604高精度溫控儀控制溫度
                11、可編程多條溫度曲線
                l2、雙閉環控制溫度,穩態溫度穩定性±1℃
                l3、光源:1200W×21只鹵鎢燈
                l4、電源:AC380V;63A三相
                l5、有效加熱區:180×180mm
                l6、石英承片架Ф160mm;配6英寸硅片承片板




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