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              產品詳情
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              • 產品名稱:CVD培育鉆石設備

              • 產品型號:CY-MPCVD
              • 產品廠商:成越科儀
              • 產品文檔:
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              簡單介紹:
              CVD培育鉆石是一種由直徑10到30納米鉆石晶體合成的多結晶鉆石,它的化學成分為碳,運用先進的設備模擬大自然中鉆石生長環境,通過化學氣象沉積技術(CVD)栽種而成
              詳情介紹:

              CVD培育鉆石是一種由直徑10到30納米鉆石晶體合成的多結晶鉆石,它的化學成分為碳,運用先進的設備模擬大自然中鉆石生長環境,通過化學氣象沉積技術(CVD)栽種而成.

              MPCVD單晶金剛石沉積設備

              適合的應用:

              化學氣相沉積法制備高品質單晶金剛石

              化學氣相沉積法制備高品質多晶金剛石自支撐厚膜

              化學氣相沉積法制備高品質多晶金剛石薄膜

              化學氣相沉積法制備石墨烯、碳納米管、富勒烯和金剛石膜等各種碳納米薄膜

              產品特點:

               

              本產品為不銹鋼腔體式6kw微波等離子體設備,功率密度高;

              水冷式基片臺和水冷式金屬反映腔,保證系統能長時間穩定工作;

              基片溫度以微波等離子體自加熱方式達到;

              真空測量儀表采用全量程真空計,可**測量本底真空和工作氣體壓強;

              真空泵及閥門采用渦輪分子泵(極限真空為1×10-5Pa)和旋片式機械真空泵(極限真空為1Pa),系統可自動控制沉積氣壓;

              配備冷卻水循環系統,確保裝置高功率下可長時間安全穩定運行;

              系統帶15寸觸摸屏,PLC自動控制,可設置溫度或氣壓恒定,可保存復用多達20套工藝文件;

              全自動工藝控制模塊,可以穩定可靠地制備高品質金剛石薄膜和晶體

              技術指標與特性:

              微波系統(法國Sairem 微波源)

              微波頻率

              2450±25MHz

              輸出功率

              0.6kw~6kw 連續可調

              微波調諧

              三銷釘調配器,模式轉換天線

              微波反射保護

              環形器,水負載

              微波工作模式

              TM013

              微波泄漏

              2 mw/cm2

              真空系統

              工作氣壓范圍

              10~250Torr

              自動穩壓范圍

              40~250Torr

              真空泵

              4.4L/s 旋片式真空泵

              系統漏率

              <1.0x10-9 Pa?m3 / (通過氦質譜檢漏儀檢測)

              腔體保壓能力

              24 小時壓升小于0.2

              本底極限真空

              0.1Pa7.5 x10-4 Torr)

              真空測量

              品牌薄膜規

              真空反應腔

              反應腔材料及結構

              雙層水冷不銹鋼反應腔

              真空密封

              金屬密封+氟膠圈密封(取樣門)

              反應腔內徑

              直徑140mm

              樣品臺窗口

              105x50mm 長方形端口,帶O 形氟橡膠圈密封的前門

              觀察窗口

              兩個端口,CF35 大口徑,180°分布

              測溫窗口

              兩個窗口水平角度25~30°,180°分布;窗口方便從反應腔上部的

              斜角向下檢測樣品臺的溫度

              樣品臺

              電動升降式水冷基片臺

              直徑100mm,高度可調范圍070mm

              鉬基片臺直徑50mm,在5000w, 180Torr 工作狀態,等離子體火球可覆蓋

              整個基片臺

              基片臺溫度 2501400℃(取決于工藝參數)

              氣路

              選用日本進口流量計及流量控制閥

              系統自帶四路MFC

              四路MFC *大流速:H2: 1000sccm,CH4100sccm,O220sccm,N22sccm

              測溫系統

              德國Raytek 紅外測溫系統,測溫范圍:300~1300 攝氏度

              系統軟件

              配置PLC 控制的15“觸摸顯示屏,用戶操作界面友好,所有操作均可在觸摸

              屏上完成

              系統支持工程師和操作員兩個用戶級別,提供用戶權限管理功能

              系統自帶缺水,缺氣,電源缺相,火球跳變,過溫過載,打火等自動保護

              可設置多達10 套工藝配方,每套配方有40 行數據,生產流程通過工藝配方自

              動控制,工藝數據可通過U 盤備份導出

              系統自帶全自動抽氣,點火,升溫,降溫等預設流程,用戶操作簡便

              全自動溫度控制,氣壓控制,極大減輕系統操作員的工作量



              豫公網安備 41019702002438號

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